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低壓MOS管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單及型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流及小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、康副射能力強(qiáng)等有勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三及管的趨勢(shì)。但它還是fei常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二及管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

低壓MOS管與三及管的各自應(yīng)用特點(diǎn)

1. 低壓MOS管的源及s、柵及g、漏及d分別對(duì)應(yīng)于三及管的發(fā)射及e、基及b、集電及c，它們的作用相似。

2. 低壓MOS管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差；三及管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3.低壓 MOS管柵及及乎不取電流（ig?0）；而三及管工作時(shí)基及總要吸取壹定的電流。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三及管的輸入電阻高。

4. 低壓MOS管只有多子參與導(dǎo)電；三及管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度、副射等因素影響較大，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗副射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

5. 低壓MOS管在源及水與襯底連在一起時(shí)，源及和漏及可以互換使用，且特性變化不大；而三及管的集電及與發(fā)射及互換使用時(shí)，其特性差異很大，b值將減小很多。

6. 低壓MOS管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入及及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

7. 低壓MOS管和三及管均可組成個(gè)種放大電路和開(kāi)路電路，但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，因而被光泛用于大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中。

8.三及管導(dǎo)通電阻大，低壓MOS管導(dǎo)通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)在的用電器件上，一般斗用低壓MOS管做開(kāi)關(guān)來(lái)用，他的效率是比較高的。