深愛MOS管正確選擇的步驟
正確選擇深愛MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問題，下面我們來學習下MOS管的正確的選擇方法?！ 〉谝徊剑哼x用N溝道還是P溝道 為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構(gòu)……
低壓MOS管的工作原理
低壓MOS管是金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面……
普通電阻與精細電阻的區(qū)別在哪里呢
在一定的溫度范圍內(nèi),精細電阻的誤差要比普通電阻的誤差小很多.也就是說制造精細電阻的資料溫度穩(wěn)定性要高于普通電阻的資料.那么普通電阻能替代精細電阻嗎?下面我們給大家分享一下吧.電阻在電路中的應(yīng)用普通是限流和分壓,限流局部不用思索精細電阻,分壓局部可分二種:1、電壓的精度對后繼電路影響不太大,此處分壓電阻用普通的.2、電壓的精度對后繼電路影響極大,此處分壓電阻用高精度的.當然,不掃除個別設(shè)計人員不思索……
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降 低損耗zui優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件集成來小系統(tǒng)體積我還將演示如何與T合作，使用先進的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值首先，讓我們來定義功率密度，井著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)什么是功率度?……
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：將低損耗zui優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件集成來小系統(tǒng)體積首先，讓我們來定義功率密度，井著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細節(jié)什么是功率度?對于電源管理應(yīng)用程序而，功率度的定義似乎非 常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標稱)輸出功率除以……
PD18W EMC整改歷程
根據(jù)開關(guān)電源產(chǎn)生共模、差模干擾的特點，將整個頻率范圍劃分為3個部分：即0.15-0.5MHz 差模干擾為主；0.5-5MHz 差、共模干擾共存；5-30MHz 共模干擾為主。重典注意的是，濾波器件應(yīng)該遠離變壓器、散熱器，否則很容易跳過濾波電路，直接耦合到L,N線導致EMI超標。一． 1MHZ 以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1. 增大 X 電容量；2. 添加差模電感；3. 小功率電源可采用 PI……
新潔能半導體產(chǎn)品的應(yīng)用范圍
無錫新潔能專注從事半導體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項專利授全，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認定。公司產(chǎn)品憑借低損耗、高可靠性品質(zhì)，已成功進入汽車電子、電機……
深愛MOS管的這些優(yōu)勢你不清楚
高頻開關(guān)電源可以節(jié)省傳統(tǒng)整流器的調(diào)壓器和主變的損耗，節(jié) 能在35%以 上，大大的減輕了電鍍成本，實為表面處理行業(yè)很理智的選擇，其可以帶負載開關(guān)機，減少調(diào)節(jié)的繁瑣程序，具有體積小、重量輕的特點。深愛MOS管場效應(yīng)管常應(yīng)用于高頻開關(guān)電源的生產(chǎn)中。但是隨著行業(yè)競爭逐漸增強，高頻開關(guān)電源的廠家紛紛尋找零部件的代替品，從而降低生產(chǎn)成本，提 高競爭力。而被廠家公 認 可以完 美替代SPP20N60C3場效應(yīng)管……
深愛MOS管開關(guān)小電流發(fā)熱分析
小電流深愛MOS管發(fā)熱分析mos管，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。深愛MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型深愛MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的MOS管是由加在輸入端柵及的電壓來控制輸出端漏及的電流深愛MOS管是壓控器件它通過加在柵及上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三及管做開關(guān)時的因基及電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此……
萬用表使用NCE低壓MOS的效果
如何快速判斷NCE低壓MOS管引腳功能的好壞1）用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導通電壓。2）因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。3）利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。4）大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。5）大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右……
強茂二極管的特性與應(yīng)用
眾所周知幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生zui早的半導體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。強茂二極管的工作原理 晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界……
NCE低壓MOS管電路原理解析
1，NCE低壓MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和……
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