聯(lián)冀告訴你強(qiáng)茂二極管穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值
接下來(lái)深圳市聯(lián)冀電子有限公司小編來(lái)給你們?cè)敿?xì)介紹一下... 1，將一電阻（待定）與穩(wěn)壓管串聯(lián)，接到直流電源（電壓待定）上，用電壓表測(cè)穩(wěn)壓管的兩端電壓，所測(cè)的值為穩(wěn)壓值。（穩(wěn)壓管陰極那端接電源正極） 2，推測(cè)穩(wěn)壓管的大概穩(wěn)壓值（從器件的拆卸源上可以推知），若穩(wěn)壓值在10V以下，則需要直流電源大于10V,可以取15V,串聯(lián)的電阻大小R=（15V - 推測(cè)穩(wěn)壓值）/(穩(wěn)壓管功率（一般為0.5W）/推測(cè)穩(wěn)……
強(qiáng)茂二極管穩(wěn)壓的注意點(diǎn)
強(qiáng)茂二極管穩(wěn)壓的注意點(diǎn)：1、要注意一般二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別方法。不少的一般二極管，特別是玻璃封裝的管，外形顏色等與穩(wěn)壓二極管較相似，如不細(xì)心區(qū)別，就會(huì)使用錯(cuò)誤。區(qū)別方法是：看外形，不少穩(wěn)壓二極管為園柱形，較短粗，而一般二極管若為園柱形的則較細(xì)長(zhǎng)；看標(biāo)志，穩(wěn) 壓二極管的外表面上都標(biāo)有穩(wěn)壓值，如5V6，表示穩(wěn)壓值為5.6V；用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量，根據(jù)單向?qū)щ娦?，用X1K擋先把被測(cè)二極管的正負(fù)極性判斷出……
NCE低壓MOS管的電流控制
NCE低壓MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能用作電子開(kāi)關(guān)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。而在使用過(guò)程中，MOS管是通過(guò)加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。今天飛虹MOS管廠家要分享的是NCE低壓MOS管該如何精準(zhǔn)控制電流。NCE低壓MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管，廠家可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓，N……
低壓MOS管的特性及應(yīng)用領(lǐng)域
低壓MOS管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單及型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流及小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、康副射能力強(qiáng)等有勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三及管的趨勢(shì)。但它還是fei常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二及管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。低壓MOS管與三及管的各……
紫光微MOS管的選型原則
了解了紫光微MOS管的參數(shù)意義，如何根據(jù)廠商的產(chǎn)品手冊(cè)表選擇滿足自己需要的產(chǎn)品呢？可以通過(guò)以下四步來(lái)選擇正確的紫光微MOS管。1） 溝道的選擇 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道 紫光微MOS管.在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)紫光微MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該紫光微MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝 道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷骸?
新潔能MOS管的工作原理及優(yōu)勢(shì)
新潔能MOS管的工作原理，控制柵極電上壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強(qiáng)弱，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場(chǎng)來(lái)控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn)，所以也稱之為場(chǎng)效應(yīng)管。MOS的優(yōu)勢(shì):場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極C，它們的作用相似。MOS的優(yōu)勢(shì):場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件。由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。M……
紫光微MOS管的封裝種類各有不同
紫光微MOS管的封裝種類各有不同隨著科學(xué)技術(shù)不斷進(jìn)步，電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工程師必須不斷跟隨科技發(fā)展的步伐，為產(chǎn)品挑選更適合的電子器件，才能使產(chǎn)品更符合時(shí)代需求。其中mos管是電子制造的基本元件，因此挑選mos管更需要了解它的特性和各種指標(biāo)。 在mos管的選型技巧中，從結(jié)構(gòu)形式（N型還是P型）、電壓、電流到熱要求、開(kāi)關(guān)性能、封裝因素以及品牌，面對(duì)不同的應(yīng)用，需求也千變?nèi)f化，本文會(huì)具體講講mos……
紫光微MOS管功率的基本特性
靜態(tài)特性：其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為紫光微MOS管的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。紫光微MOS管的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力 紫光微MOS管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換。電力紫光微MOS管漏源極……
紫光微MOS管的常用參數(shù)
紫光微MOS管的常用參數(shù):VDS，即漏源電壓，這是紫光微MOS管的一個(gè)極限參數(shù)，表示紫光微MOS管漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是，這個(gè)參數(shù)是跟結(jié)溫相關(guān)的，通常結(jié)溫越高，該值最大。 RDS(on)，漏源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通時(shí)，漏源極之間的導(dǎo)通電阻。這個(gè)參數(shù)與紫光微MOS管結(jié)溫，驅(qū)動(dòng)電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds越大;驅(qū)動(dòng)電壓越高，Rds越小?！?
7n65MOS管的產(chǎn)品特點(diǎn)及參數(shù)
MOS管7n65產(chǎn)品特征-KIA7N65H:1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V2、低柵電荷（典型的29nC）3、高強(qiáng)度4、快速切換5、100%雪崩試驗(yàn)6、增強(qiáng)的dv/dt能力MOS管7n65產(chǎn)品主要參數(shù)-KIA7N65H:產(chǎn)品型號(hào)：KIA7N65H工作方式：7A/650V漏至源電壓：650V門(mén)到源電壓：±30V雪崩能源：14.7/230MJ操作和儲(chǔ)存溫度范圍:-55至150℃ 深圳市……
強(qiáng)茂二極管的恢復(fù)時(shí)間
強(qiáng)茂二極管分為：肖特基二極管,碳化硅肖特基二極管,二極管整流器,保護(hù)組件,雙極晶體管,橋式整流管,下面主要講一下肖特基二極管的恢復(fù)時(shí)間。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~！前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~！ 快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到……
紫光微MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域
紫光微MOS管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。 紫光微MO……
