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自2018年開始,功率深愛MOS管的平均售價持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率深愛MOS管產(chǎn)品成長幅度最顯著,已位居價格中的首位。
至于其他中低電壓的功率深愛MOS管產(chǎn)品成長幅度較小,但仍緩步上升。
因平均售價成長趨勢的差異化表現(xiàn),12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠的建立及高電壓功率深愛MOS管產(chǎn)品布局,或?qū)⒊蔀槲磥韽S商發(fā)展重點。
中低電壓功率深愛MOS管價格小幅成長,將由12寸晶圓制程提高利潤。
過去功率深愛MOS管以8寸晶圓制造為主,在制程成熟度與穩(wěn)定性上達(dá)到平衡,并已完成優(yōu)化。MOSFET是目前最常用的功率半導(dǎo)體器件之一,泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。
在消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求不斷增加下,8寸晶圓需要制造的產(chǎn)品也增加,包括相關(guān)芯片等,讓8寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)吃緊狀態(tài),引發(fā)8寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問題。
因此對功率深愛MOS管的客戶來說,轉(zhuǎn)進(jìn)12寸晶圓廠是絕佳選擇。
目前具12寸晶圓廠制造功率深愛MOS管量產(chǎn)能力的廠商是英飛凌,已有1座12寸功率半導(dǎo)體廠房生產(chǎn),且計劃興建第二座,預(yù)計2021年開始量產(chǎn)。
從英飛凌官方資料來看,12寸廠具有6%成本效益,能帶來約2%增幅,因此未來將持續(xù)擴(kuò)大12寸晶圓制造。
另外,AOS為市場上第二家將以12寸晶圓廠制造功率深愛MOS管的廠商,預(yù)計于2019下半年量產(chǎn)供貨。
AOS認(rèn)為,12寸晶圓制造最直接優(yōu)勢在產(chǎn)能,且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優(yōu)秀。ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠,準(zhǔn)備生產(chǎn)功率半導(dǎo)體相關(guān)元件。
低壓功率深愛MOS管的平均售價趨勢可發(fā)現(xiàn),其價格相對平緩,近期價格雖有上漲但幅度很小。
因此降低生產(chǎn)成本為提升毛利潤必要條件,也令12寸晶圓制造功率深愛MOS管備受重視,未來中低電壓功率深愛MOS管在無法通過抬高價格來創(chuàng)造高利潤的情況下,憑借12寸廠成本優(yōu)勢仍有機(jī)會貢獻(xiàn)利潤率,并解決產(chǎn)能不足問題。
高電壓功率深愛MOS管表現(xiàn)亮眼。
功率半導(dǎo)體在終端的產(chǎn)品使用中越來越廣泛,尤其近年在車用、5G與高端運(yùn)算等,也吸引主要大廠積極投入開發(fā)高電壓功率深愛MOS管產(chǎn)品,拉動平均售價大幅度成長。
為達(dá)到高電壓功率深愛MOS管市場與技術(shù)需求,在主要供應(yīng)鏈廠商中,英飛凌、安森美、STM、ROHM、AOS等積極開發(fā)研究含有SiC的功率深愛MOS管元件,除歐美日大廠外,陸系廠商比亞迪、臺系廠商強(qiáng)茂也積極開發(fā)SiC 功率深愛MOS管產(chǎn)品。
SiC功率半導(dǎo)體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快。隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,SiC功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。
但需求也導(dǎo)致市場上基于SiC的器件供應(yīng)緊張,促使一些供應(yīng)商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產(chǎn)能。值得一提的是,由于SiC與GaN晶圓的制造成本較高,也是拉抬高電壓功率深愛MOS管價格的主要推手之一。
總體而言,歐美日大廠看好高規(guī)格功率深愛MOS管的未來發(fā)展。同時,全球電動車市場加速成長,對MOSFET需求急迫,在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的銷量超越了計算和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域,占總體市場的20%以上。隨著MOSFET不斷發(fā)展,相關(guān)廠商盈利也將會有望進(jìn)一步提升。